特許
J-GLOBAL ID：200903066160560025
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082654
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268213
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置において、半導体で構成されたゲイト電極中から、一導電型を付与する不純物がゲイト電極を突き抜け、チャネル形成領域に拡散してしまうことを防ぐ構成を得る。【構成】 ゲイト電極(13)上に形成されるゲイト電極を半導体層(14)と半導体層(15)で示されるように2層で構成する。この際、半導体層(14)には一導電型を付与する不純物を添加せず、半導体層(15)には一導電型を付与する不純物を高濃度に添加する。そして、ノンドープの半導体層(14)の存在によって半導体層(15)中の不純物がゲイト電極(13)を突き抜け、チャネル形成領域(17)に拡散することを防ぐ。また同時に高濃度に一導電型を付与する不純物が添加された半導体層(15)の存在によって、低抵抗を有するゲイト電極を実現する。
請求項（抜粋）：
半導体材料で構成されたゲイト電極中における一導電型を付与する不純物の濃度をゲイト絶縁膜に接する領域では低く、他の一方の領域では高く、したことを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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