特許
J-GLOBAL ID：200903066163186779

偏光子の表面改質方法、偏光子の製造方法、偏光子、偏光板、画像表示装置、液晶パネルおよび液晶表示装置

発明者：
八重樫 将寛

八重樫 将寛 について

, 
梅本 清司

梅本 清司 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 辻丸 光一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-198775
公開番号（公開出願番号）：特開2008-122921
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】 光学特性を損なうことなく、偏光子表面の親水性を、短時間で、且つシンプルな操作で均一に向上させることができ、作業安全性の確保も可能な偏光子の表面改質方法を提供する。【解決手段】 偏光子の少なくとも一方の面に、真空紫外光を照射する。フォトンエネルギーの高い前記真空紫外光を偏光子表面に照射すると、偏光子の表面部分の高分子の主鎖や側鎖の化学結合が切断される。これと同時に、偏光子表面に親水性の官能基が形成されることで、偏光子表面の親水性が向上する。前記偏光子は、ポリビニルアルコールおよびヨウ素を含むものが好ましく、前記真空紫外光の波長は180nm以下が好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
偏光子の少なくとも一方の面に、真空紫外光を照射する工程を含むことを特徴とする偏光子の表面改質方法。
IPC (2件)：
G02B 5/30 ,  G02F 1/133
FI (2件)：
G02B5/30 ,  G02F1/1335 510
Fターム (13件)：
2H049BA02 ,  2H049BA27 ,  2H049BB43 ,  2H049BC05 ,  2H049BC22 ,  2H091FA08X ,  2H091FA08Z ,  2H091FC23 ,  2H091LA30 ,  2H191FA22X ,  2H191FA22Z ,  2H191FC33 ,  2H191LA40
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 親水化処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-063502   出願人：積水化学工業株式会社
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (2件)
  • 新しいUVおよびVUVエキシマ光源の開発
  • 新しいUVおよびVUVエキシマ光源の開発

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