特許

J-GLOBAL ID：200903066191991881

薄膜コンデンサ

発明者： 横田 勝弘
出願人/特許権者： 学校法人 関西大学
代理人 (1件)： 藤本 昇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137138
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332204
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、DRAMの高集積化や準マイクロ波のGaAsMMICへのオンチップ化等を可能とする高誘電率コンデンサ材料を提供し、抵抗率の小さい、耐電圧の大きい点から特にDRAM用コンデンサ材料に最適となるものである高誘電率コンデンサ材料を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明に係わる薄膜コンデンサは、酸化チタンの薄膜からなる誘電体を具備してなる薄膜コンデンサにおいて、酸化チタンの薄膜の酸素の含有量をTiOxとあらわすとき該薄膜が、前記xの範囲が2.05≦x≦2.3である薄膜であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸化チタンの薄膜からなる誘電体を具備してなる薄膜コンデンサにおいて、酸化チタンの薄膜の酸素の含有量をTiOxとあらわすとき該薄膜が、前記xの範囲が2.05≦x≦2.3である薄膜であることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10

Fターム (16件)：

5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC14 ,  5E082EE24 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082KK01 ,  5E082PP03 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF02 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-367262
  
• 誘電体膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152306   出願人：日本真空技術株式会社