特許
J-GLOBAL ID：200903066202459010
改質疎水化シリカ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-287799
公開番号（公開出願番号）：特開2006-096641
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】シリカが本来もつ流動付与特性を維持しつつ、シリカを正帯電化あるいは低負帯電化し、且つ、低温低湿、高温高湿の環境下で帯電量の変動を小さくした処理シリカを提供する。【解決手段】単位表面積当たりの表面シラノール基が0.1〜1.2個/nm2となるように疎水化された疎水化シリカをシランカップリング剤により乾式で処理して改質疎水化シリカとする。得られた改質疎水化シリカは、トナー用外添剤として有用であり、高性能な電子写真用トナー組成物が提供される。また、上記改質疎水化シリカは、シリカを凝集体を生成させることなく表面処理を施すことによって得ることができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
単位表面積当たりの表面シラノール基が0.1〜1.2個/nm2となるように疎水化された疎水化シリカをシランカップリング剤により乾式で処理して得られたことを特徴とする改質疎水化シリカ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C01B33/18 C
, G03G9/08 371
, G03G9/08 375
2H005AA08
, 2H005CA26
, 2H005CB13
, 2H005DA01
, 2H005DA05
, 2H005EA10
, 4G072AA25
, 4G072GG01
, 4G072GG02
, 4G072HH28
, 4G072RR11
, 4G072UU04
出願人引用 (10件)
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特開昭58-185405号公報
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特開昭59-200252号公報
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特開昭63-298354号公報
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審査官引用 (5件)
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