基板表面薄膜パターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上島淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175990
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022968
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】細かい線幅の薄膜パターンを形成可能として高い分解能を達成できるとともに、膜厚を大きくすることができ、しかも処理プロセスにおいて細かな制御を行うことが可能な基板表面薄膜パターンの形成方法を提供する。【構成】基板表面に所望の薄膜パターンを形成する基板表面薄膜パターンの形成方法において、基板表面に所望のパターンによりレジストを付着した後に、レジストを付着した基板表面に薄膜を付着し、ドライ雰囲気中においてレジストならびに薄膜を付着した基板表面の所望の領域にパルス・レーザを照射して、パルス・レーザを照射された領域に位置するレジストを基板から除去し、基板からのレジストの除去にともない、除去されたレジスト上に位置する薄膜を除去し、基板上に所望の薄膜パターンを形成するようにした。

請求項（抜粋）：

基板表面に所望の薄膜パターンを形成する基板表面薄膜パターンの形成方法において、基板表面に所望のパターンによりレジストを付着した後に、前記レジストを付着した基板表面に薄膜を付着し、ドライ雰囲気中において前記レジストならびに前記薄膜を付着した前記基板表面の所望の領域にパルス・レーザを照射して、前記パルス・レーザを照射された領域に位置する前記レジストを前記基板から除去し、前記基板からの前記レジストの除去にともない、除去された前記レジスト上に位置する前記薄膜を除去し、前記基板上に所望の薄膜パターンを形成することを特徴とする基板表面薄膜パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 , H01L 21/3065 , H01L 21/3205 , H01S 3/00

FI (4件)：

H01L 21/302 Z , H01L 21/302 K , H01L 21/88 G , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-166245 出願人：ソニー株式会社
特開平1-296623
特開昭62-015267

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