特許

J-GLOBAL ID：200903066229586110

サーミスタ素子およびその製造方法

発明者： 緒方 逸平 ,  山田 正徳 ,  葛岡 馨
出願人/特許権者： 株式会社日本自動車部品総合研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047837
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251109
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 サーミスタ素子において、還元雰囲気に晒された場合に抵抗値安定性をもつ素子構成を提供する。【解決手段】 サーミスタ素子1には一対のリード線11、12が付与されている。サーミスタ素子1は、混合焼結体Y(CrMn)O3 ・Y2 O3 (または、Y(CrMn)O3 ・Al2 O3 )等からなるサーミスタ部13の表面に、Y2O3 、Al2 O3 、SiO2 、Y3 Al5 O12、3Al2 O3 ・2SiO2 及びY2 SiO5 等の耐還元性組成物からなる耐還元性被膜14とが形成された素子構成としている。

請求項（抜粋）：

サーミスタ材料からなるサーミスタ部(13)と、このサーミスタ部(13)の表面に形成された耐還元性組成物からなる耐還元性被膜(14)とを有することを特徴とするサーミスタ素子。

IPC (2件)：

H01C 7/04 ,  G01K 7/22

FI (2件)：

H01C 7/04 ,  G01K 7/22 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-098501
  
• 特開平1-134901
  
• 特開平4-299803
  
• セラミックスコーティング薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038467   出願人：三菱マテリアル株式会社