特許
J-GLOBAL ID：200903066267419180

配線基板

発明者：
福田 康雄

福田 康雄 について

, 
塚本 弘志

塚本 弘志 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-305166
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111188
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 半田接合の際に、配線層への半田のヌレ性およびシェアー試験により評価される接合強度の劣化や、めっき層のハガレ・フクレ等が発生する。【解決手段】 配線層2のうち少なくとも電子部品3の電極が半田ボール5を介して接続される領域の表面に、無電解法により、ニッケルの含有率が99.9重量%以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が20nm以上であるニッケルめっき層6、パラジウムまたはパラジウム合金めっき層7、および金めっき層8が順次被着されている配線基板4である。前記構成のニッケルめっき層6が、金めっき層8表面に酸化ニッケル層が形成されることを抑制し、配線層2への半田のヌレ性やシェアー試験により評価される接合強度を高く維持する。さらにパラジウムまたはパラジウム合金めっき層7が、ニッケルめっき層6と金めっき層8との間にボイドや空隙部が形成されることを防止し、ハガレやフクレが発生しない。
請求項（抜粋）：
電子部品の電極が半田を介して接続される配線層を有する配線基板であって、前記配線層のうち少なくとも前記電子部品の電極が半田を介して接続される領域の表面に、無電解法により、ニッケルの含有率が99.9重量%以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が20nm以上であるニッケルめっき層、パラジウムまたはパラジウム合金めっき層、および金めっき層を、順次被着させたことを特徴とする配線基板。
IPC (6件)：
H05K 3/34 501 ,  H05K 3/34 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/14 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24
FI (6件)：
H05K 3/34 501 F ,  H05K 3/34 501 E ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/24 D ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/14 M
Fターム (36件)：
4E351AA01 ,  4E351AA06 ,  4E351BB01 ,  4E351BB22 ,  4E351BB24 ,  4E351BB33 ,  4E351BB38 ,  4E351CC06 ,  4E351CC07 ,  4E351DD06 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD52 ,  4E351DD58 ,  4E351GG01 ,  4E351GG15 ,  5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AB06 ,  5E319AC17 ,  5E319GG03 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA22 ,  5E343BB09 ,  5E343BB17 ,  5E343BB23 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB52 ,  5E343BB61 ,  5E343BB71 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343GG01 ,  5E343GG18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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