イメージ検出器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-504853
公開番号（公開出願番号）：特表平9-503351
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】イメージ検出器(1,1a)は基板(4)上に設けられ、入射放射線に応答して電荷キャリアを発生する放射線変換層(6)によってバイアス電極(5)から分離された材料層で形成されたセンサ(3)のアレイ(2)を有し、各センサ(3)は放射線変換層(6)に発生した電荷キャリアを捕捉する捕捉電極(7a,7b)と、電荷を蓄積するコンデンサ(C)と、少なくとも第1および第2電極(9および10)を有するスイッチング素子(8)を具え、各センサ(3)のスイッチング素子(8)の第1および第2電極(9および10)の一方の電極(10)を前記捕捉電極(7a,7b)に結合してセンサ(3)に蓄積された電荷を読取り得るようにし、各捕捉電極(7a,7b)は、前記スイッチング素子上全体に亘り設けられた絶縁層(11a,11b)上に関連するスイッチング素子(8)を越えて横方向に延在させて、前記絶縁層により前記捕捉電極(7a,7b)から分離された下側の基準電極(12a,12b)と相俟って関連するコンデンサ(C)を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられ、入射放射線に応答して電荷キャリアを発生する放射線変換層によってバイアス電極から分離された材料層から形成されたセンサアレイを具えて成る放射線を感知するイメージ検出器において、各センサは放射線変換層に発生した電荷キャリアを捕捉する捕捉電極と、電荷を蓄積するコンデンサと、少なくとも第1および第2電極を有するスイッチング素子とを具え、これら第1および第2電極の一方を前記捕捉電極に結合してセンサに蓄積された電荷を読取り得るようにし、各捕捉電極は関連するスイッチング素子を越えてスイッチング素子上に設けられた絶縁層上に横方向に延在させてこの絶縁層により前記捕捉電極から分離された下側の基準電極と相俟って関連するコンデンサを形成するようにしたことを特徴とするイメージ検出器。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , G01T 1/20 , H01L 31/09 , H04N 5/32

FI (4件)：

H01L 27/14 C , G01T 1/20 E , H04N 5/32 , H01L 31/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-176046 出願人：キヤノン株式会社
特開昭58-093269
特開昭58-106861

全件表示

前のページに戻る