特許
J-GLOBAL ID：200903066313238586

導光板成形用金型の加工方法及び金型と導光板

発明者：
松尾 真

松尾 真 について

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國松 真也

國松 真也 について

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深井 元樹

深井 元樹 について


出願人/特許権者：
TOWA株式会社

TOWA株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114466
公開番号（公開出願番号）：特開2004-314539
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】異種レンズのマイクロレンズアレイ(MLA)型導光板1と、その導光板成形用金型(分割型18)と、その導光板成形用金型18を加工する方法を提供する。【解決手段】まず、シリコン基材6上の塗布レジスト膜7を切削加工して傾斜レジスト膜9を形成すると共に、前記した傾斜レジスト膜9にマスク10を重合して露光現像することにより、前記したシリコン基材6に所要の厚さの傾斜レジスト膜形成部12を形成し、次に、前記したレジスト膜形成部12とレジスト膜非形成部13とにドライエッチング14することにより、前記シリコン基材6に前記導光板1に対応した凸部15を形成してマスター16とし、当該マスター16にニッケル電鋳してシリコン基材6を溶解除去することにより、電鋳型17(分割型18)を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基材に略均等な厚さを有するレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に所要のパターンを有するマスクを重合した状態で露光して当該露光レジスト膜を現像することにより、前記したシリコン基材の表面にレジスト膜形成部とレジスト膜非形成部とから成る所要の現像パターンを形成する工程と、 前記した所要の現像パターンを有するシリコン基材にドライエッチングすることにより、前記したシリコン基材を所要の形状を有する導光板マスターに形成する工程と、 前記マスターにニッケル電鋳してニッケル電鋳型を付着形成する工程と、 前記マスターを溶解除去することにより、前記ニッケル電鋳型を導光板成形用金型として残存形成する工程とを含む導光板成形用金型の加工方法であって、 前記したレジスト膜を形成する工程の後、前記した略均等な厚さを有するレジスト膜を切削加工することにより、前記シリコン基材に傾斜レジスト膜を形成する工程と、 前記した現像パターン形成工程時に、前記したシリコン基材の表面に所要の現像パターンとして異種の凸状マイクロレンズパターンを形成することにより、前記シリコン基材の表面に、導光板における異種の凸状マイクロレンズの配置に対応し且つ所要の厚さを各別に有する所要複数個の傾斜レジスト膜形成部と、前記レジスト膜非形成部とを形成する工程と、 前記ドライエッチング工程時に、まず、前記した所要複数個の傾斜レジスト膜形成部をその厚さに対応して各別に浸食して順次に消失させ、次に、前記した消失した傾斜レジスト膜形成部が存在したシリコン基材の当該表面を浸食することにより、前記したシリコン基材の当該部分を前記マスターに対応した所要の形状に形成する工程と、 前記ドライエッチング工程時に、前記したレジスト膜非形成部を浸食することにより、前記したシリコン基材の当該部分を前記マスターに対応した所要の形状に形成する工程とを行うことを含むことを特徴とする導光板成形用金型の加工方法。
IPC (5件)：
B29C33/38 ,  B29C45/26 ,  F21V8/00 ,  G02B3/00 ,  G02B6/00
FI (6件)：
B29C33/38 ,  B29C45/26 ,  F21V8/00 601A ,  F21V8/00 601C ,  G02B3/00 Z ,  G02B6/00 331
Fターム (14件)：
2H038AA55 ,  2H038BA06 ,  2H091FA23Z ,  2H091FA31Z ,  2H091LA18 ,  4F202AG05 ,  4F202AH73 ,  4F202AJ02 ,  4F202CA11 ,  4F202CB01 ,  4F202CD03 ,  4F202CD12 ,  4F202CD24 ,  4F202CK43
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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