特許
J-GLOBAL ID:200903066365209037
トレンチ内に製造した集積化しリリースしたビーム層構成体及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小橋 正明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-340417
公開番号(公開出願番号):特開2005-169616
出願日: 2004年11月25日
公開日(公表日): 2005年06月30日
要約:
【課題】トレンチ内に製造されたリリースされたビーム構成体及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板20、トレンチ18、第一導電層24、ビーム28を有し、該トレンチは半導体基板内へ延在しており且つ壁を具備している。該第一導電層は選択した位置において該トレンチの壁の上に位置されている。該ビームは該トレンチに位置されており且つその第一部分が該半導体基板へ接続されており且つその第二部分が移動可能である。該ビームの第二部分は選択した距離だけ該トレンチの壁から離隔されている。従って、該ビームの第二部分は該基板の表面と垂直又は平行な面内において自由に移動自在であり、且つビーム構成体に印加される所定の加速力又は所定の温度変化に応答して該トレンチの壁と電気的に接触すべく偏向即ち撓むことが可能である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ビーム構成体において、
半導体基板、
前記半導体基板内に延在しており壁を具備しているトレンチ、
選択した位置において前記トレンチの壁上に位置されている第一導電層、
前記トレンチに位置させたビーム、
を有しており、前記ビームがその第一部分において前記基板へ接続しており且つその第二部分において移動可能であり、前記第二部分が選択した距離だけ前記トレンチの壁から離隔されていることを特徴とするビーム構成体。
IPC (5件):
B81B3/00
, B81C1/00
, G01K5/62
, G01P15/135
, G01P15/18
FI (5件):
B81B3/00
, B81C1/00
, G01K5/62
, G01P15/135 Z
, G01P15/00 K
Fターム (3件):
2F056FM01
, 2F056FM02
, 2F056FM06
引用特許:
出願人引用 (6件)
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米国特許第5,917,226号
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米国特許第6,278,337号
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米国特許第6,218,209号
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半導体加速度センサの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-147075
出願人:日産自動車株式会社
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加速度センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-017794
出願人:株式会社村田製作所
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特許第6218209号
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審査官引用 (4件)