半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322720
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260638
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に形成された、少なくともMOS形トランジスタを含む半導体装置において、外部からの過大な静電気などのサージ入力や製造途中で発生する静電気に対してトランジスタなどを保護するための構造を提供する。【構成】ソースドレインを形成する高濃度拡散層と、LDD構造トランジスタのオフセットを構成する高濃度拡散層と反対導電型の低濃度拡散層を接触させるようにトランジスタやダイオードを形成する。【効果】高濃度拡散層と低濃度拡散層を接触させることにより、接合耐圧を低下させた素子を半導体装置内に容易に形成できる。また、CMOS構造におけるオフセットを利用することにより、工程の増加がない。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたMOS形トランジスタの少なくともドレインが、高濃度拡散層と低濃度拡散層からなる半導体装置において、前記低濃度拡散層の一部分が高濃度拡散層と反対導電型であることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-155662
特開昭63-244874
特開平3-120870

全件表示

前のページに戻る