特許

J-GLOBAL ID：200903066416488491

半導体パターンの形成方法

発明者： 南方 尚
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-157495
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347400
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 基板の表面上の半導体薄膜に極めて簡便に半導体パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 ポリカーボネート樹脂製の樹脂フィルム1上に形成した半導体薄膜2の表面のうち絶縁性に変換させたい領域に、前記樹脂の変性物質3であるN-メチルピロリドンを接触させ、樹脂フィルム1の表面のうち前記領域に相対する部分を変性させた。すると、半導体薄膜2のうち変性部分4に相対する領域は、前記変性の影響により絶縁性領域5に変換され、半導体薄膜2に半導体パターンが形成された。

請求項（抜粋）：

基板の表面上に形成された半導体薄膜の所定領域を絶縁性に変換することにより半導体パターンを形成する方法であって、前記基板の表面の少なくとも一部を樹脂で構成し、溶解,膨潤,及び反応のうち少なくとも一つによって前記樹脂を変性させる変性物質を、前記樹脂で構成された部分のうち所定部分に接触させて、該所定部分を変性させ、前記半導体薄膜のうち前記所定部分に相対する領域を、前記所定部分の変性によって絶縁性領域に変換することを特徴とする半導体パターンの形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/34 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (6件)：

H01L 21/34 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/76 Z ,  H01L 29/28

Fターム (22件)：

5F032AA01 ,  5F032AA08 ,  5F032AA12 ,  5F032AA32 ,  5F032AA50 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA06 ,  5F032DA41 ,  5F032DA52 ,  5F032DA78 ,  5F052JA01 ,  5F052JA07 ,  5F052JA08 ,  5F052KA05 ,  5F110AA16 ,  5F110DD01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110QQ01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• パターニングされた半導体膜を形成する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-520487   出願人：イー-インクコーポレイション