特許
J-GLOBAL ID:200903066447243748
スルホン化ブロックコポリマー、これらの製造方法およびこれらのようなブロックコポリマーの種々の使用
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
川口 義雄
, 小野 誠
, 渡邉 千尋
, 金山 賢教
, 大崎 勝真
, 坪倉 道明
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-521985
公開番号(公開出願番号):特表2009-503137
出願日: 2006年07月21日
公開日(公表日): 2009年01月29日
要約:
本発明は、少なくとも2つのポリマー末端ブロックAおよび少なくとも1つのポリマー内側ブロックBを含む固体ブロックコポリマーであり、ここで各Aブロックはスルホン化を受けにくいポリマーブロックであり、各Bブロックはスルホン化を受けやすいポリマーブロックであり、前記AおよびBブロックは有意水準のオレフィン不飽和を含有しない。好ましくは、各Aブロックは、重合した(i)パラ置換スチレンモノマー、(ii)エチレン、(iii)3から18炭素原子のαオレフィン、(iv)10水素化された1,3-シクロジエンモノマー、(v)水素化の前に35モルパーセント未満のビニル含有量を有する、水素化された共役ジエンモノマー、(vi)アクリル酸エステル、(vii)メタクリル酸エステル、および(viii)これらの混合物から選択される1以上のセグメントを含み;各Bブロックは、(i)非置換スチレンモノマー、(ii)オルト置換スチレンモノマー、(iii)メタ置換スチレンモノマー、15(iv)α-メチルスチレン、(v)1,1-ジフェニルエチレン、(vi)1,2-ジフェニルエチレン、および(vii)これらの混合物から選択される、1以上の重合したビニル芳香族モノマーのセグメントを含む。このようなブロックコポリマーの製造プロセスならびにこのようなブロックコポリマーの種々の最終用途および応用もまた請求される。
請求項(抜粋):
全般的な配置A-D-B-D-A、A-B-D-B-A、(A-D-B)nX、(A-B-D)nXまたはこれらの混合物(ここにおいて、nは2から約30の整数であり、Xはカップリング剤残基である。)を有し、
a.各Aブロックおよび各Dブロックはスルホン化を受けにくいポリマーブロックであり、各Bブロックはスルホン化を受けやすいポリマーブロックであり、前記A、BおよびDブロックは有意水準のオレフィン不飽和を含有せず;
b.各Aブロックは、独立して数平均分子量1,000から60,000を有し、各Bブロックは、独立して数平均分子量10,000から300,000を有し;
c.各Aブロックは、重合した(i)パラ置換スチレンモノマー、(ii)エチレン、(iii)3から18炭素原子のαオレフィン、(iv)1,3-シクロジエンモノマー、(v)水素化の前に35モルパーセント未満のビニル含有量を有する共役ジエンモノマー、(vi)アクリル酸エステル、(vii)メタクリル酸エステルならびに(viii)これらの混合物から選択される1以上のセグメントを含み、ここで、重合した1,3-シクロジエンまたは重合した共役ジエンを含有するいずれのセグメントもついで水素化され;
d.各Bブロックは、重合した(i)非置換スチレンモノマー、(ii)オルト置換スチレンモノマー、(iii)メタ置換スチレンモノマー、(iv)α-メチルスチレン、(v)1,1-ジフェニルエチレン、(vi)1,2-ジフェニルエチレンおよび(vii)これらの混合物から選択される1以上のビニル芳香族モノマーセグメントを含み;
e.各Dブロックは、ガラス転移温度20°C未満を有しおよび数平均分子量1,000から50,000を有するポリマーを含み、前記Dブロックは、(i)水素化の前にビニル含有量20から80モルパーセントを有する、イソプレン、1,3-ブタジエンから選択される重合または共重合した共役ジエン、(ii)重合したアクリラートモノマー、(iii)シリコンポリマー、(iv)重合したイソブチレンおよび(v)これらの混合物からなる群から選択され、ここで重合した1,3-ブタジエンまたはイソプレンを含有するいずれのセグメントもついで水素化され;
f.前記Bブロックは、前記Bブロック中のビニル芳香族モノマーユニットを基準にして10から100モルパーセントの範囲までスルホン化されており;および
g.非置換スチレンモノマー、オルト置換スチレンモノマー、メタ置換スチレンモノマー、α-メチルスチレン、1,1-ジフェニルエチレンおよび1,2-ジフェニルエチレンであるビニル芳香族モノマーのモルパーセントは、各Bブロックにおいて10モルパーセントから100モルパーセントである、
水中で固体である物品を形成するためのスルホン化ブロックコポリマー。
IPC (10件):
C08F 297/02
, C08F 8/04
, C08F 8/36
, C08L 53/00
, C08L 91/00
, B01D 71/80
, B01D 71/82
, H01M 8/02
, A61F 13/49
, A61F 13/53
FI (9件):
C08F297/02
, C08F8/04
, C08F8/36
, C08L53/00
, C08L91/00
, B01D71/80
, B01D71/82
, H01M8/02 P
, A41B13/02 D
Fターム (98件):
3B200AA01
, 3B200AA03
, 3B200BA01
, 3B200BB17
, 3B200DB02
, 4D006GA41
, 4D006MA03
, 4D006MB03
, 4D006MB04
, 4D006MC22
, 4D006MC24
, 4D006MC26
, 4D006MC37
, 4D006MC74X
, 4D006MC81
, 4D006NA01
, 4D006PA02
, 4D006PB17
, 4D006PB18
, 4D006PB65
, 4D006PC80
, 4J002AE003
, 4J002BB03X
, 4J002BB05X
, 4J002BB06X
, 4J002BB08X
, 4J002BB12X
, 4J002BB14X
, 4J002BB15X
, 4J002BB17X
, 4J002BC03X
, 4J002BC04X
, 4J002BC06X
, 4J002BC10X
, 4J002BN15X
, 4J002BP03W
, 4J002FD010
, 4J002FD030
, 4J002FD070
, 4J002FD090
, 4J002FD310
, 4J002GB00
, 4J002GD00
, 4J002GD03
, 4J002GD05
, 4J002GH00
, 4J002GJ01
, 4J002GQ00
, 4J026HA02
, 4J026HA03
, 4J026HA04
, 4J026HA06
, 4J026HA11
, 4J026HA14
, 4J026HA26
, 4J026HA32
, 4J026HA39
, 4J026HB05
, 4J026HB06
, 4J026HB26
, 4J026HB39
, 4J026HB45
, 4J026HB48
, 4J026HC02
, 4J026HC11
, 4J026HC15
, 4J026HC16
, 4J026HC19
, 4J026HC26
, 4J026HC39
, 4J026HC45
, 4J026HC49
, 4J026HC50
, 4J026HE03
, 4J026HE05
, 4J100BA56H
, 4J100CA05
, 4J100DA01
, 4J100DA25
, 4J100HA04
, 4J100HA05
, 4J100HA61
, 4J100HE14
, 4J100HG02
, 4J100HG03
, 4J100JA01
, 4J100JA03
, 4J100JA11
, 4J100JA15
, 4J100JA19
, 4J100JA24
, 4J100JA43
, 4J100JA60
, 5H026AA06
, 5H026CX05
, 5H026EE18
, 5H026HH00
, 5H026HH05
引用特許:
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