特許
J-GLOBAL ID：200903066454070387
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267778
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087629
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 50以上の大きな比誘電率を有するキャパシタ絶縁膜を備えた半導体装置を製造する。【解決手段】 半導体基板上に,下部電極3,キャパシタ絶縁膜4,上部電極5の順に積層してなる半導体装置を製造するにあたり,下部電極3の少なくとも最上層を,白金族の金属,又は白金族の金属の導電性酸化物のいずれかで構成する。キャパシタ絶縁膜4にTa2O5を用い,下部電極3上で熱処理してTa2O5を(001)面や(200)面に配向させて結晶化させる。その結果,50以上の比誘電率を有するキャパシタ絶縁膜4が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に,下部電極,キャパシタ絶縁膜,上部電極を順次積層して半導体装置を製造する方法において,前記下部電極を,少なくとも最上層が白金族の金属,又は白金族の金属の導電性酸化物で構成し,さらに前記下部電極上にTa2O5を堆積させた後,この下部電極上で該Ta2O5を,比誘電率を高める特定結晶面に配向させるように,熱処理によって結晶化してキャパシタ絶縁膜を形成し,その後前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極を積層することを特徴とする,半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 B
