特許
J-GLOBAL ID：200903007185152120
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320720
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102591
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタ絶縁膜に金属酸化物を用いた構造において、拡散防止膜を省略することができ、かつキャパシタ電極のシリサイド化を防止し、信頼性の高い高誘電体キャパシタを実現する。【解決手段】 シリコン基板1上に、MOSトランジスタとキャパシタからなるDRAMセルを構成した半導体装置において、キャパシタの絶縁膜9は高誘電体のBax Sr1-x TiO3 膜であり、n+ 多結晶シリコン膜7に接触するキャパシタの下部電極8は0.004〜5%の酸素を含むルテニウム膜である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、金属酸化物からなる誘電体膜を用いてキャパシタが形成された半導体装置において、前記キャパシタの少なくとも一方の電極は、微量の酸素を含むルテニウムによって構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 C
