特許
J-GLOBAL ID：200903066461986486
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124445
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326509
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】基板の段差を緩和し、半導体装置の信頼性の向上をはかる半導体装置の製造方法であり、特に吸湿性を抑制したシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成する方法を提供する。【構成】半導体基板上に、化学的気相成長法により有機シリコン化合物を酸化させてシリコン酸化膜を形成する工程と、リン(P)成分を含有しない塗布ガラスを用いてスピン・オン・グラス(SOG)法によりシリコン酸化膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法。または、P成分を含有する塗布ガラスを用いて塗布膜を形成した後、水洗してP成分を除去し、熱処理を施してシリコン酸化膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法。【効果】SOG法により形成したシリコン酸化膜の吸湿性を抑制することができ、半導体素子のホットエレクトロン耐性の向上、配線部の溶出などが防止でき、素子の信頼性が一段と向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、化学的気相成長法により有機シリコン化合物を酸化させてシリコン酸化膜を形成する工程と、上記シリコン酸化膜上に、リン成分を含有しない塗布ガラスを用いてスピン・オン・グラス法によりシリコン酸化膜を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/316
