特許
J-GLOBAL ID:200903066468133217
半導体式圧力センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
碓氷 裕彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-042068
公開番号(公開出願番号):特開2002-243566
出願日: 2001年02月19日
公開日(公表日): 2002年08月28日
要約:
【要約】【課題】 半導体式圧力センサの検出信号から脈動成分を除去するために形成されるフィルタに使用するコンデンサの数や容量をより低減すること。【解決手段】 本実施形態の半導体式圧力センサ40の電子回路部は、(a)に示されるように、フルブリッジ回路の2つの接続点C、Dは、抵抗素子R5、R6の一端の端子がそれぞれ接続され、それら抵抗素子R5、R6の他端は、コンデンサCを介して接続されており、これら抵抗素子R5、R6とコンデンサCとでローパスフィルタを形成したことにより、半導体式圧力センサ40の検出信号の圧力応答性を遅らせることができるため、半導体式圧力センサ40の検出信号から脈動成分を除去するとともに、ローパスフィルタに使用するコンデンサの数及び容量をより低減させることができる。
請求項(抜粋):
半導体圧力感知素子によってフルブリッジ回路が形成され、印加された圧力に応じて前記フルブリッジ回路から出力が導出される半導体式圧力センサにおいて、前記フルブリッジ回路の対角に位置する2つの接続点には第1の抵抗素子と第2の抵抗素子とがそれぞれ接続され、前記第1の抵抗素子はコンデンサの一端に接続され、前記第2の抵抗素子は前記コンデンサの他端に接続されており、これら前記第1の抵抗素子及び前記第2の抵抗素子と前記コンデンサとでフィルタを形成したことを特徴とする半導体式圧力センサ。
IPC (3件):
G01L 9/04 101
, G01L 23/24
, H01L 29/84
FI (3件):
G01L 9/04 101
, G01L 23/24
, H01L 29/84 B
Fターム (20件):
2F055AA27
, 2F055BB20
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF36
, 2F055GG12
, 2F055GG46
, 2F055HH03
, 2F055HH05
, 2F055HH11
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA04
, 4M112CA08
, 4M112CA12
, 4M112CA13
, 4M112DA10
, 4M112EA03
, 4M112EA11
, 4M112FA01
引用特許:
審査官引用 (1件)
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圧力・差圧伝送器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-273643
出願人:株式会社島津製作所
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