特許
J-GLOBAL ID：200903066471234474
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165965
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359324
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズの半導体装置において、突起電極5のハンダボール9搭載面とモールド樹脂面との段差がない接続面に粘度の高いフラックスを用いてハンダボール9を搭載し、突起電極5とハンダボール9の電気的接続を得る為にリフロー工程を行う。その際に、前記フラックス粘度が低下し、ハンダボール9が搭載位置から移動してしまい、ハンドブリッジが起こったり、ハンダボールの未搭載箇所が発生し、チップ不良となってしまっていた。【解決手段】 ハンダボール9の搭載部である封止樹脂8表面に凹部が形成されており、該凹部内で突起電極5が露出しており、なお且つその露出面にハンダ濡れ性の良い金を主成分とする層が形成されているので、ハンダボール9搭載後のリフロー工程でフラックスの粘度が低下してもハンダボール9は搭載位置からの移動を最小限に留める事が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体チップのシリコンウェハー能動素子面上のパッド電極と導通を取るように形成された突起電極と、該突起電極の一部が露出するように形成された封止樹脂と、該突起電極が露出した箇所に搭載されたハンダボールを具備する半導体装置において、前記封止樹脂の高さが突起電極よりも高く、前記ハンダボールを搭載する位置の封止樹脂表面に凹部が形成されており、前記突起電極の一部が該凹部内で露出しており、更に前記突起電極とハンダボールが該凹部内で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501
, H01L 21/56
H01L 23/12 501 P
, H01L 21/56 R
5F061AA01
, 5F061CA21
, 5F061DA01
