特許
J-GLOBAL ID：200903002333025963

半導体装置の製造方法

発明者：
古屋 明彦

古屋 明彦 について

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北村 智史

北村 智史 について

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福吉 健蔵

福吉 健蔵 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311323
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135742
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】半導体装置(CSP)の製造にあたりメッキ給電用配線の形成を不要とし、また、樹脂封止に金型を不要とした半導体装置(CSP)の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子が形成されたウェハー面上に電極を露出するよう第一の絶縁層を形成する工程と、電極と電気的に接続する金属薄膜層を一面に形成する工程と、金属薄膜層上にメッキマスクを形成する工程と、電気メッキによりメッキマスクより露出した金属薄膜層部位にメタルポストを形成する工程と、メッキマスクを剥離する工程と、金属薄膜層をパターニングし配線層とする工程と、メタルポスト先端面を除くメタルポスト側面を被覆し、かつ、配線層および第一の絶縁層に密着被覆する第二の絶縁層を形成する工程とを少なくとも有し、電気メッキの際、金属薄膜層をメッキ給電用の導体としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
電極を有する半導体素子が形成されたウェハー面上に前記電極を露出するよう第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶縁層の形成面側に前記電極と電気的に接続する金属薄膜層を一面に形成する工程と、前記金属薄膜層上にメッキマスク用のレジストパターンを形成する工程と、電気メッキにより前記メッキマスクより露出した金属薄膜層部位にメタルポストを形成する工程と、前記メッキマスク用のレジストパターンを剥離する工程と、前記金属薄膜層をパターニングし配線層とする工程と、配線層および第一の絶縁層を被覆し、かつ、前記メタルポスト先端面を露出する第二の絶縁層を形成する工程とを少なくとも有し、前記メタルポスト形成のための電気メッキの際、前記金属薄膜層をメッキ給電用の導体としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/301 ,  H05K 7/02
FI (3件)：
H05K 7/02 ,  H01L 23/12 L ,  H01L 21/78 Q
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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