特許

J-GLOBAL ID：200903066512781701

高飽和磁化窒化鉄薄膜形成方法および高飽和磁化窒化鉄薄膜を有する構造体

発明者： 太田 和三郎 ,  木下 幹夫 ,  高橋 研
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287458
公開番号（公開出願番号）：特開平6-136508
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：

【要約】【目的】基板上に高飽和磁化窒化鉄薄膜を容易かつ確実に形成する。【構成】窒素ガスもしくは窒素原子を含むガスが含まれるプラズマにより、鉄の窒化反応を促進させて、窒化鉄薄膜を形成する方法において、窒化鉄薄膜形成時のプラズマ中の電子温度を3.5eV以下に維持し、窒化鉄薄膜の形成される基板11の温度を、α’’Fe16N2の分解温度を越えない温度に保つ。

請求項（抜粋）：

窒素ガスもしくは窒素原子を含むガスが含まれるプラズマにより、鉄の窒化反応を促進させて、窒化鉄薄膜を形成する方法において、窒化鉄薄膜形成時のプラズマ中の電子温度を3.5eV以下に維持し、窒化鉄薄膜が形成される基板の温度を、α’’Fe16N2の分解温度を越えない温度に保つことを特徴とする高飽和磁化窒化鉄薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 8/36 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50