特許
J-GLOBAL ID：200903066522542489
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-337353
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147918
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 QFN(クワッド・フラット・ノンリーデッド・パッケージ)型の半導体装置において、モールド樹脂内部の剥離の抑制と、アイランドの下面およびリード端子の外部接続面への樹脂ばりの発生の抑制とを両立させる。【解決手段】 アイランド11上にダイマウント材30を介して搭載された半導体素子40と、半導体素子40に電気接続されたリード端子12とが、アイランド11の下面およびリード端子12の外部接続面12aが露出するように、モールド樹脂60で封止されてなり、モールド樹脂60内部にて半導体素子40とアイランド11の上面との間にヒートシンク20を介在設定し、ヒートシンク20の上面にダイマウント材30を介して半導体素子40を搭載し、ヒートシンク20の表面に、樹脂との密着性を高めるための粗化処理を施し、アイランド11およびリード端子12の表面は粗化処理を施さず平滑面とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アイランド(11)と、
前記アイランド(11)上に樹脂よりなるダイマウント材(30)を介して搭載された半導体素子(40)と、
前記アイランド(11)の周囲に位置し前記半導体素子(40)と電気的に接続されたリード端子(12)と、
前記アイランド(11)の下面および前記リード端子(12)の外部接続面(12a)が露出するように、前記アイランド(11)、前記リード端子(12)および前記半導体素子(40)を封止するモールド樹脂(60)とを備える半導体装置において、
前記モールド樹脂(60)の内部にて前記半導体素子(40)と前記アイランド(11)の上面との間には、ヒートシンク(20)が介在設定されており、
前記ヒートシンク(20)の上面に前記ダイマウント材(30)を介して前記半導体素子(40)が搭載されており、
前記ヒートシンク(20)の表面には、樹脂との密着性を高めるための粗化処理が施されており、
前記アイランド(11)および前記リード端子(12)の表面には、前記粗化処理が施されていないことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L23/50 F
, H01L23/50 R
, H01L23/50 U
5F067AA01
, 5F067AA03
, 5F067AB04
, 5F067BC13
, 5F067BD05
, 5F067BE05
, 5F067CA02
, 5F067CA03
, 5F067CA05
, 5F067DA05
, 5F067DF16
