特許

J-GLOBAL ID：200903034427479460

半導体装置用リードフレーム

発明者： 芹 澤 精 一 ,  井 川 匡 弘
出願人/特許権者： 日本高純度化学株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201324
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027873
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 モールド樹脂密着性とAgペースト樹脂密着性に優れており、信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供すること。【解決手段】 ?@ リードフレーム素材上の中間層としてのNiめっき層の結晶が、(1.1.1)面および(3.1.1)面に強い配向性を有することを特徴とする、半導体装置用リードフレーム。?A Niめっき層の厚みが0.05μm〜50μmであり、Niめっき層の上層として、Pd,Pd合金、Au,Au合金、Ag,およびAg合金のいずれか1種以上のめっき層を有している。

請求項（抜粋）：

リードフレーム素材上の中間層としてのNiめっき層の結晶が、(1.1.1)面および(3.1.1)面に強い配向性を有することを特徴とする、半導体装置用リードフレーム。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  C25D 3/12 ,  C25D 7/12

FI (3件)：

H01L 23/50 D ,  C25D 3/12 ,  C25D 7/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-090660
  
• リードフレーム材およびリードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-279912   出願人：三菱伸銅株式会社
• 端子構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-309333   出願人：日本特殊陶業株式会社