特許
J-GLOBAL ID:200903066528864810

磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿部 美次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-276231
公開番号(公開出願番号):特開平7-105510
出願日: 1993年10月07日
公開日(公表日): 1995年04月21日
要約:
【要約】【目的】 工程数短縮に有効な構造を持つMR型磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供する。【構成】 磁気検出膜1はMR膜11を含んでいる。磁区制御膜21、22のそれぞれは、磁気検出膜1の相対する両側に互いに間隔を隔てて積層され、磁気検出膜1の領域外に延長されている。リード電極膜31,32のそれぞれは、磁気検出膜1の領域上及び領域外で磁区制御膜21、22に重なるパターンを有して磁区制御膜21,22上に付着されている。
請求項(抜粋):
磁気検出膜と、一対の磁区制御膜と、一対のリード電極膜とを含み、支持体によって支持されている磁気変換素子であって、前記磁気検出膜は、磁気抵抗効果膜を含んでおり、前記磁区制御膜のそれぞれは、前記磁気検出膜の相対する両側に互いに間隔を隔てて積層され、前記磁気検出膜の領域外に延長されており、前記リード電極膜のそれぞれは、前記磁気検出膜の領域上及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有して前記磁区制御膜上に付着されている磁気変換素子。
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る