特許

J-GLOBAL ID：200903066562177651

回路基板およびこれを用いた半導体モジュール

発明者： 渡辺 純一 ,  藤田 卓
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-331022
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147307
出願日： 2006年12月07日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】回路基板と放熱ベースとを接合するはんだ層にクラックが発生すること及び金属放熱板とアルミニウム層との界面に化合物層が形成されることを防止することにより高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供すること。【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路板が形成され、他方の面に金属放熱板が形成された回路基板であって、前記金属回路板および前記金属放熱板が銅または銅合金であり、前記金属放熱板の表面に溶射によりアルミニウム層が形成されている回路基板である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の一方の面に金属回路板が形成され、他方の面に金属放熱板が形成された回路基板であって、前記金属回路板および前記金属放熱板が銅または銅合金であり、前記金属放熱板の表面に溶射によりアルミニウム層が形成されていることを特徴とする回路基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13

FI (2件)：

H01L23/12 J ,  H01L23/12 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-365021   出願人：京セラ株式会社
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-311438   出願人：京セラ株式会社