特許
J-GLOBAL ID：200903066577761244
電荷結合デバイス型の固体撮像素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021503
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222719
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、転送中における垂直転送部のウエル中の電荷を深さ方向に移動させて、CCD型の固体撮像素子のセンサ特性を高めて、垂直転送部の取り扱い電荷能の向上を図る。【構成】 垂直転送部30の第1伝導型(n型)拡散層31とオーバフローバリア層12との間におけるn型形成層31側に第2伝導型(p型)ウエル32を設けたCCD型の固体撮像素子1 であって、p型ウエル32とオーバフローバリア層22とに接合しp型ウエル32と同一伝導型の不純物層33を設けたものである。
請求項（抜粋）：
垂直転送部の第1伝導型拡散層とオーバフローバリア層との間における該第1伝導型拡散層側に第2伝導型ウエルを設けた電荷結合デバイス型の固体撮像素子において、前記第2伝導型ウエルと前記オーバフローバリア層とに接合する状態に該第2伝導型ウエルと同一伝導型の不純物層を設けたことを特徴とする電荷結合デバイス型の固体撮像素子。
引用特許：
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