特許

J-GLOBAL ID：200903066581724256

酸化膜及びシリコン層の積層膜のエッチング方法

発明者： 満生 彰
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126375
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330045
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜層とシリコン層の積層膜を残渣無くエッチングすることができる酸化膜及びシリコン層の積層膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に形成された上層の酸化膜4及び下層のシリコン層3からなる積層膜をエッチングする。先ず、CF系ガスを使用して酸化膜4をエッチングし、この酸化膜4のエッチングで発生したデポジッション6をCl2ガスを使用してエッチング除去する。その後、シリコン層3をエッチングする。

請求項（抜粋）：

上層の酸化膜及び下層のシリコン層からなる積層膜をエッチングする方法において、CF系ガスを使用して前記酸化膜をエッチングする工程と、この酸化膜のエッチングで発生したデポジッションをCl2ガスを使用してエッチング除去する工程と、前記シリコン層をエッチングする工程と、を有することを特徴とする酸化膜及びシリコン層の積層膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パターンエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-311147   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭59-214226
  
• 特開平3-262122