特許
J-GLOBAL ID：200903097993195196

パターンエッチング方法

発明者：
柳川 周作

柳川 周作 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311147
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148312
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 上層膜とこれを通じてその下の下層膜もしくは基板に対するパターンエッチングにおいて、両者間に段差の発生や、エッチング面の湾曲の発生を効果的に回避し、パターンエッチングの精度の向上を図ることができるようにする。【解決手段】 上層膜をパターンエッチングして、所定のパターンの開口を形成する第1エッチングと、この第1のエッチングで上層膜の開口の側壁に堆積形成された堆積膜を除去する第2のエッチングと、上層膜の開口を通じてこの上層膜下の被エッチング体に対するエッチングを行う第3のエッチングとを有し、特に本発明においては、その第2のエッチングを、O2 イオンエッチングによって行う。
請求項（抜粋）：
上層膜をパターンエッチングして、所定のパターンの開口を形成する第1のエッチングと、上記第1のエッチングで少なくとも上記上層膜の開口の側壁に堆積形成された堆積膜を除去する第2のエッチングと、上記上層膜の開口を通じて上記上層膜下の被エッチング体に対するエッチングを行う第3のエッチングとを有し、上記第2のエッチングは、O2 イオンエッチングとしたことを特徴とするパターンエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (6件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/72
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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