半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004776
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195402
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】パッケージへペレットをマウントする際にペレットの反りを極力低減することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板11におけるFET17下の基板厚が他の領域下の基板厚よりも薄くなるように基板の裏面側に開口する凹部18が形成され、凹部18の内部には、FET17下の凹部18の内面で基板11に接合されるとともにこの接合領域19a以外では基板11と接触しない空間部21を有する、FET17から生じる熱を放熱するためのPHS19が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に熱発生源となるデバイスが形成され、前記半導体基板の裏面側に前記デバイスから生じる熱を放熱するための放熱用金属が形成された半導体装置において、前記半導体基板に、該半導体基板における前記デバイス下方の基板厚が他の領域下方の基板厚よりも薄くなるように前記半導体基板の裏面側に開口する凹部が形成され、該凹部の内部には、前記デバイス下方の前記凹部の内面で前記半導体基板に接合されるとともにこの接合部分以外では前記半導体基板と接触しない空間部を有する放熱用金属が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 23/40

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-123730 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186018 出願人：日本電気株式会社
特開平4-165630

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