特許
J-GLOBAL ID：200903066604960890
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326840
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186094
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【構成】処理容器19と、この処理容器19内に設けられた上部電極12および試料台を兼ねた下部電極21と、これら上部電極12と下部電極21との間に高周波を印加する手段29とを備え、前記下部電極21が電極本体21bとその試料載置面を被覆する絶縁体21aとからなり、前記絶縁体21aの厚みが試料載置面の中心から周辺に向かうに従って薄くなっていることを特徴とするプラズマ処理装置。【効果】ウエハ面内のプラズマ処理の均一性を安定して高めることができる。
請求項（抜粋）：
処理容器と、この処理容器内に設けられた上部電極および試料台を兼ねた下部電極と、これら上部電極と下部電極との間に高周波を印加する手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記下部電極が電極本体とその試料載置面を被覆する絶縁体とからなり、前記絶縁体の厚みが試料載置面の中心から周辺に向かうに従って薄くなっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
