特許
J-GLOBAL ID：200903066623901765
集束イオンビーム加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021735
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219680
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】加工領域設定用マークと加工領域が高倍率のSIM像視野に入らない場合でも、実効的に高倍率のSIM像を作成し、加工領域設定の位置精度を高くして高精度のFIB加工を行う方法を提供することにある。【解決手段】SIM像の倍率を実効的に高倍率化するには、加工マークと加工領域とがSIM像のXあるいはY方向に並ぶようにビームの走査方向を回転し、かつディスプレイ上の画像のXおよびY方向の像表示倍率比を変えて加工マークと加工領域が同一視野のSIM像枠内に一杯に入るようにする。
請求項（抜粋）：
イオン源、前記イオン源からの放出イオンを試料上に集束してビーム照射する集束系、前記の集束イオンビーム(FIB)を前記試料上で二次元(x-y)走査させる偏向系、前記集束イオンビームの照射により前記試料表面から放出する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器、前記二次荷電粒子検出器の信号をA/D変換し、FIBの走査信号と同期してコンピュータの画像メモリに取り込むことにより、ディスプレイ上に前記試料表面の画像をX-Y表示するディスプレイ、および前記ディスプレイ上の試料表面の画像を下地として加工領域設定用マークを基に加工領域を指定し、その領域のみを限定してFIB走査することにより、所望の指定位置に局所加工を行うFIB加工方法において、前記ディスプレイ上の画像のXおよびY方向の像倍率比が変えられる試料表面画像を用いて加工領域を設定することを特徴とした集束イオンビーム加工方法。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, H01J 37/22 502
, H01J 37/31
H01J 37/317 D
, H01J 37/22 502 C
, H01J 37/31
