特許

J-GLOBAL ID：200903066646119207

半導体装置の製造方法

発明者： 阿部 一英
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-040220
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243830
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【目的】 銅の化学的機械的研磨におけるエッチングストッパ膜として炭素膜を用いることにより、コンタクト孔の銅配線の埋め込みを高選択比でおこなう。【構成】 絶縁膜上に炭素膜を形成し、パターニングによりコンタクト孔を形成する。コンタクト孔を含む全面に銅を形成し、化学的機械的研磨法により研磨をおこない炭素膜をエッチングストッパとして銅の研磨を終了させ、コンタクト孔のみに銅を残存させ銅の埋め込み配線を形成する。

請求項（抜粋）：

プラグコンタクト孔を有する下地上に絶縁膜を形成する工程と、全面にストッパ膜を形成する工程と、前記ストッパ膜および前記絶縁膜をエッチングし前記プラグコンタクト孔に達するコンタクト孔を形成する工程と、全面に銅を形成し前記コンタクト孔を埋め込む工程と、化学的機械的研磨法により前記銅を研磨し前記ストッパ膜により研磨を終了させる工程と含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 622 X

Fターム (24件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ73 ,  5F033SS11 ,  5F033XX03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210624   出願人：株式会社東芝