特許
J-GLOBAL ID：200903082474376950
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210624
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064034
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】Au,Ag,Cu等の配線材料を用いるのに有効な構造を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】絶縁膜2001上にアルミニウム配線2003を形成する工程と、全面に層間絶縁膜2004,2005を形成する工程と、層間絶縁膜2004,2005をエッチングして、層間絶縁膜2004,2005に配線溝2006、コンタクトホール2007を形成する工程と、全面にバリアメタル膜2008、配線材料膜2009を順次形成する工程と、レーザアニールにより前記配線材料膜2009を溶融させ、流動させることにより、配線溝2006、コンタクトホール2007内に配線材料膜2009を埋め込む工程と、余分な配線材料膜2009とバリアメタル膜2008をCMP法により除去する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された半導体基板と、この半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜上に形成されたアルミニウムからなる第1の電極または配線層と、この第1の電極または配線層上に形成された第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜上にアルミニウムよりも比抵抗および融点が低い金属からなる第2の電極または配線層とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 A
, H01L 21/90 J
, H01L 21/90 Z
