基板を処理する方法及び装置及びそれらのためのセラミック組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562930
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521834
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】【課題】処理気体のプラズマの中で基板が処理される反応室の誘電体窓及び処理キットのための、高対腐食性を有し汚染の無いセラミック組成物を提供する。処理気体のプラズマを含む室内で基板を処理(例えば、エッチング)する方法も提供する。【解決手段】このセラミック組成物は、セラミック化合物(例えば、Al2O3)と3B族金属酸化物(例えば、Y2O3)を含む。この方法は、セラミック組成物から形成された誘電体窓を介して処理パワーを送ることを含む。

請求項（抜粋）：

室壁を有する反応室を含む基板を処理するためのプラズマ反応装置において、前記室壁に支持されて、セラミック化合物と3B属金属酸化物を含むセラミック組成物を有する誘電体窓と、前記反応室内で基板を支持するために前記反応室内に配置されたペデスタル集合体と、処理パワー源と、前記反応室内に処理気体を導入するために前記反応室と係合した処理気体導入集合体と、前記反応室近傍に配置され、反応室内に反応気体からのプラズマを維持することを助けるために反応室内にパワーを送るため前記処理パワー源に接続された処理パワー送信部材と、を含むプラズマ反応装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C04B 35/50 , C23C 14/00 , C23C 16/44 , H01J 37/32 , H01L 21/205

FI (7件)：

B01J 19/08 H , C04B 35/50 , C23C 14/00 B , C23C 16/44 J , H01J 37/32 , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Fターム (43件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BC01 , 4G075BC02 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA47 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075FB02 , 4G075FB04 , 4G075FC09 , 4G075FC15 , 4K029CA00 , 4K029CA05 , 4K029DA01 , 4K029DC27 , 4K029DC28 , 4K029JA01 , 4K030CA04 , 4K030DA04 , 4K030FA04 , 4K030GA02 , 4K030KA08 , 4K030KA46 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB21 , 5F004BB29 , 5F004BB32 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045DP02 , 5F045EB05 , 5F045EC05 , 5F045EH03 , 5F045EH11 , 5F045EH17 , 5F045EM03 , 5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (5件)

耐食性部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-201563 出願人：京セラ株式会社
ウエハ保持装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-079219 出願人：京セラ株式会社
半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-074043 出願人：三菱マテリアル株式会社, 東京エレクトロン株式会社

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