非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-295449
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045404
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】優れた光導電性特性、高速応答性、かつ耐環境特性や耐高温性を有する非晶質光半導体及びその製造方法並びにこの非晶質光半導体を用いた光半導体素子を提供する。【解決手段】水素を含みIII族元素の原子数の総和とチッ素原子の原子数との比が1:0.5〜1:2である非晶質半導体である。また、1原子%以上50原子%以下の水素と、少なくともAl、Ga、Inの一つ以上の元素と、チッ素元素とを含み、酸素と炭素が各々15原子%以下である非晶質光半導体が好適である。この非晶質光半導体は、更にC,Si、Ge、Snから選ばれた一つ以上の元素、又はBe、Mg、Ca、Zn、Srから選ばれた一つ以上の元素を含む。この非晶質光半導体は、チッ素を含む化合物を必要なエネルギー状態や励起種に活性化し、この活性種と3族元素を含む有機金属化合物を反応させることによって得られる。

請求項（抜粋）：

水素を含みIII族元素の原子数の総和とチッ素原子の原子数との比が1:0.5〜1:2であることを特徴とする非晶質光半導体。

IPC (5件)：

C01B 21/06 , C23C 16/18 , G03G 5/08 , H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (5件)：

C01B 21/06 A , C23C 16/18 , G03G 5/08 , H01L 21/205 , H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-340751 出願人：キヤノン株式会社
特開平2-192770
特開平2-192772

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