特許

J-GLOBAL ID：200903066676648247

ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法

発明者： 中島 美幸 ,  白井 一志 ,  武田 憲夫
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-068895
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【目的】 4インチの非磁性ガーネット基板の厚さを最適化して、LPE法により歩留まり良くビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を製造する。【構成】 4インチ基板の厚さが式(1) と式(2) で計算される厚みd1(mm)以上、d2(mm)以下とする。ただしt(mm)はビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の厚さである。d1 = 0.75 t2+ 0.655t + 0.2365 (1)d2 = t2+ 0.3t + 0.42 (2)【効果】 4インチの非磁性ガーネット基板を使用し、歩留まり良くビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を製造することができる。

請求項（抜粋）：

白金ルツボに酸化鉛、酸化ビスマス、酸化鉄及び希土類酸化物を仕込み、これを高温で融解し攪拌して均一な溶融液とし、次いで該溶融液を過飽和温度以下に保った状態で非磁性ガーネット基板を接触させ、該非磁性ガーネット基板片面にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を 0.3mmから0.6mmまでの厚さに育成する、いわゆる液相エピタキシャル法ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法において、該基板として4インチの大きさの非磁性ガーネット基板を用い、該基板に育成する該ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の厚さをt(mm)とするときに、該基板として厚さが下記の式(1) と式(2) とから算出される値d1(mm)以上、d2(mm)以下とすることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法。d1 = 0.75t2 + 0.655t + 0.2365 (1)d2 = t2 + 0.3t + 0.42 (2)

IPC (3件)：

C30B 29/28 ,  C30B 19/10 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/28 ,  C30B 19/10 ,  H01L 21/208 L

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077BC23 ,  4G077BC27 ,  4G077BC28 ,  4G077CG01 ,  4G077ED06 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053AA13 ,  5F053AA26 ,  5F053BB04 ,  5F053BB12 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL06 ,  5F053RR01 ,  5F053RR04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-049434   出願人：住友金属鉱山株式会社