特許
J-GLOBAL ID：200903066679614734

ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法

発明者：
大村 昌良

大村 昌良 について

, 
関本 康彦

関本 康彦 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-081166
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258461
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 切断用トランジスタの寸法の増大を抑制し、ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化の際、副次的に生じ得る、半導体装置にとって好ましくない現象を抑制し、ヒューズ素子の電気的な切断ないしは高抵抗化を信頼性高く行なう方法を提供する。【解決手段】 ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法は、導電性材料で形成されたヒューズ素子に対し、1回で切断ないし高抵抗化はできないが、複数回で切断ないし高抵抗化できるエネルギを持つ電気的パルスを、繰り返し印加して、前記ヒューズ素子を切断ないし高抵抗化する工程を含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
導電性材料で形成されたヒューズ素子に対し、1回で溶融破断できるエネルギ未満であり、固相のマイグレーションを生じさせるエネルギを持つ電気的パルスを、繰り返し印加して、前記ヒューズ素子を切断ないし高抵抗化する工程を含む、ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (2件)：
H01L21/82 F ,  H01L27/04 V
Fターム (19件)：
5F038AV02 ,  5F038AV15 ,  5F038DF05 ,  5F038DF16 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB05 ,  5F064BB12 ,  5F064BB18 ,  5F064BB19 ,  5F064BB20 ,  5F064BB33 ,  5F064CC10 ,  5F064DD48 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF33 ,  5F064FF45
引用特許：
出願人引用 (1件)

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