特許
J-GLOBAL ID:200903066687744949
透明導電膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-060045
公開番号(公開出願番号):特開2002-256423
出願日: 2001年03月05日
公開日(公表日): 2002年09月11日
要約:
【要約】【課題】 本発明のは、赤外波長領域で透過率の低下が非常に少なく、しかもITO係ターゲットで得られる透明導電性薄膜と同等の低抵抗値を有する透明導電性薄膜をスパッタリング法で再現性良く安定に製造でしうるターゲットの提供を課題とする。【解決手段】 インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で0.003〜0.20の割合で存在し、焼結体相対密度が90%以上のものである。そして、好ましくは、酸化インジウムのインジウムサイトにモリブデンが置換固溶しているものである。
請求項(抜粋):
インジウムとモリブデンと酸素とからなる透明導電膜作成用焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で0.003〜0.20の割合で存在し、焼結体相対密度が90%以上であることを特徴とする透明導電膜作製用焼結体ターゲット。
IPC (5件):
C23C 14/34
, C01G 39/00
, C04B 35/495
, H01B 13/00 503
, H01L 21/203
FI (5件):
C23C 14/34 A
, C01G 39/00 Z
, H01B 13/00 503 B
, H01L 21/203 S
, C04B 35/00 J
Fターム (27件):
4G030AA23
, 4G030AA34
, 4G030BA03
, 4G030BA15
, 4G030GA11
, 4G030GA27
, 4G030GA28
, 4G048AA03
, 4G048AB05
, 4G048AC04
, 4G048AC06
, 4G048AD02
, 4G048AD06
, 4K029BA45
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029BD00
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5F103AA08
, 5F103BB22
, 5F103DD28
, 5F103HH04
, 5F103LL13
, 5F103PP11
, 5G323BA02
, 5G323BB05
引用特許:
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