表示基板およびこれを含む表示装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-000313
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170905
出願日： 2009年01月05日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】表示基板およびこれを含む表示装置が提供される。【解決手段】表示基板100は、ゲート配線22と、ゲート配線22上に形成され、第1エネルギーバンドギャップを有する第1半導体パターン42と、第1半導体パターン42上に形成され、第1エネルギーバンドギャップより大きい第2エネルギーバンドギャップを有する第2半導体パターン44と、第1半導体パターン42上にゲート配線22と交差するように形成されたデータ配線62と、データ配線62と電気的に連結された画素電極82を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ゲート配線と、前記ゲート配線上に形成され、第1エネルギーバンドギャップを有する第1半導体パターンと、前記第1半導体パターン上に形成され、前記第1エネルギーバンドギャップより大きい第2エネルギーバンドギャップを有する第2半導体パターンと、前記第1半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線と、前記データ配線と電気的に連結された画素電極とを含む表示基板。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (5件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 612Z , H01L29/78 618B , G02F1/1368 , G09F9/30 338

Fターム (64件)：

2H092GA29 , 2H092HA04 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB13 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA12 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA25 , 5C094AA21 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094FB14 , 5C094JA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HL03 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN46 , 5F110NN49 , 5F110NN73 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-062077
特開昭62-042566
高エネルギーギャップオフセット層構造を有するTFT素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-289490 出願人：勝華科技股ふん有限公司, 國立交通大學

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