特許
J-GLOBAL ID：200903066698422005
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040093
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223898
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 耐圧性に優れ、構成が単純であり、かつコンパクトな半導体装置を提供する。【解決手段】 ソース12およびドレイン13の両不純物領域12および13を区画するゲート15は、直線状に伸長することなく環状に形成され、この環状ゲート15の内方の一方の不純物領域12に例えば1つのコンタクト19を配置することにより、該コンタクトと、環状ゲート15の外方の他方の不純物領域13に配列された複数のコンタクト20との間で、両不純物領域12および13を経るドレイン電流は、環状ゲート15下に形成される環状チャンネルを経て、環状ゲート15を横切るようにその放射状に流れる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板に形成され、それぞれがコンタクトを経て対応する電極に接続されるソースおよびドレインのための両不純物領域と、該両不純物領域に関連して形成され、該両不純物領域間にドレイン電流を流すチャンネルを形成するためのゲートとを含む半導体装置であって、前記ゲートは、前記半導体基板上から見て環状に形成され、前記両不純物領域は、前記環状ゲートを境にしてその内方および外方に区画して形成されており、前記環状ゲートの内方に形成された一方の前記不純物領域は、少なくとも1つの前記コンタクトを経て、対応する前記電極に接続されており、また前記環状ゲートの外方に形成された他方の前記不純物領域は、前記環状ゲートに沿ってその周方向に配列された複数の前記コンタクトを経て、対応する前記電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 P
