特許
J-GLOBAL ID：200903066707999582
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-150312
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324220
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】光の取り出し効率の向上を実現し、発光効率の低下及び熱劣化を防止することができる光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体装置1Aにおいて、凹部2aを有する配線基板2と、凹部2aに収容され、光を放射する発光素子3と、発光素子3を封止するように凹部2aに設けられ、発光素子3から放射された光の波長を変換する蛍光体4aを含有し、発光素子3から放射された光を放出する面であって粗面化された放出面4bを有する透光封止部材4とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
凹部を有する配線基板と、
前記凹部に収容され、光を放射する発光素子と、
前記発光素子を封止するように前記凹部に設けられ、前記発光素子から放射された前記光の波長を変換する蛍光体を含有し、前記発光素子から放射された前記光を放出する面であって粗面化された放出面を有する透光封止部材と、
を備えることを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F041AA03
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA19
, 5F041DA20
, 5F041DA34
, 5F041DA36
, 5F041DA42
, 5F041DA45
, 5F041DA55
, 5F041DA74
, 5F041DA76
, 5F041DB09
