特許
J-GLOBAL ID：200903066741061860

膜厚測定方法および膜厚測定装置ならびに成膜装置

発明者：
原田 佳尚

原田 佳尚 について

, 
丹羽 正昭

丹羽 正昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074748
公開番号（公開出願番号）：特開2000-266529
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 シリコン半導体プロセスに使用される膜厚測定装置において極薄シリコン酸化膜等の膜厚を簡便かつ正確に測定する。【解決手段】 モノクロX線発生装置20と、真空中に保持され表面に膜15が形成された基板3と、基板3とグランドに接続されモノクロX線発生装置20のモノクロX線により励起された電子量を測定する電流計4とを備えた。これによりモノクロX線が基板3に照射されると基板3上の原子から光電子が真空準位に励起され、放出し、基板表面は電気的に正に帯電することで、グランドから電子が基板表面に流れ込み、定常状態となる。この定常状態で測定したサンプル電流量は小さい値まで正確に測定できるとともに真空中に放射した光電子量と比例し、光電子は基板表面近傍にある膜15の原子密度とその組成に相関がある。そのため、サンプル電流量を測定することで基板3上の膜厚を正確に測定できる。
請求項（抜粋）：
基板をグランドと接続した状態で真空中に保持し、前記基板にモノクロX線を照射した時にグランドから供給される電流値により、前記基板上の膜厚を測定することを特徴とする膜厚測定方法。
IPC (2件)：
G01B 15/02 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
G01B 15/02 A ,  H01L 21/66 P
Fターム (17件)：
2F067AA27 ,  2F067BB17 ,  2F067FF06 ,  2F067HH04 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK09 ,  2F067LL00 ,  2F067PP12 ,  4M106AA13 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH16 ,  4M106DH19 ,  4M106DH34 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ04
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特公昭40-002995
  • 特開平1-282407
  • 特開平1-295145
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