特許
J-GLOBAL ID：200903066746585531
成膜体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-150413
公開番号（公開出願番号）：特開2009-293107
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】 既に第1被膜を形成した基体の第2成膜面に微粒子を衝突、堆積させて第2被膜を形成するにあたり、第1被膜の存否の影響を抑制して第2被膜の形成した成膜体の製造方法を提供する。【解決手段】 箔状で、第1成膜面21及び第2成膜面22を有する基体20と、第1成膜面上の一部に形成した第1被膜11と、第2成膜面上の少なくとも一部に形成した第2被膜12と、を備え、第1被膜は、基体の厚さ方向DTに見て、第2被膜と重なる重複部LWを含む、成膜体1の製造方法は、支持面55およびこの支持面よりも窪んだ凹部56を有する支持部材53を用いて、第1被膜を形成した基体の第2成膜面に、微粒子D2を衝突、堆積させて、第2被膜を形成する、第2成膜工程を備える。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
箔状で、第1成膜面及び第2成膜面を有する基体と、
上記基体の上記第1成膜面上の一部に形成した第1被膜と、
上記基体の上記第2成膜面上の少なくとも一部に形成した第2被膜と、を備え、
上記第1被膜は、上記基体の厚さ方向に見て、上記第2被膜と重なる重複部を含む
成膜体の製造方法であって、
上記第1被膜を形成した上記基体の第2成膜面に、微粒子を衝突、堆積させて、上記第2被膜を形成する第2成膜工程であって、
支持面およびこの支持面よりも窪んだ凹部を有する支持部材を用い、
上記基体の第2成膜面のうち、上記第2被膜を形成すべく、上記微粒子を衝突させている領域を形成中領域としたとき、
上記第1被膜の上記重複部のうち、少なくとも、上記基体の厚さ方向に見て、上記第2被膜を形成すべく、上記基体の第2成膜面に上記微粒子を衝突させている上記形成中領域に含まれる形成重複領域を、上記支持部材の上記凹部内に位置させ、
上記第1成膜面の上記第1被膜が形成されずに露出した第1露出部のうち、少なくとも、上記基体の厚さ方向に見て、上記形成中領域に含まれる形成非重複領域を、上記支持部材の上記支持面上に位置させて、
上記第2被膜を形成する第2成膜工程を備える
成膜体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (25件)：
4K044AA03
, 4K044AB02
, 4K044BA12
, 4K044BA17
, 4K044BB08
, 4K044BB10
, 4K044BC14
, 4K044CA23
, 4K044CA27
, 4K044CA71
, 5H029AJ14
, 5H029AK03
, 5H029AL03
, 5H029AM12
, 5H029BJ17
, 5H029CJ24
, 5H029DJ09
, 5H050AA19
, 5H050BA17
, 5H050CA08
, 5H050CB03
, 5H050DA06
, 5H050DA13
, 5H050FA03
, 5H050GA21
