薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：湯浅恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105485
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125086
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】陽極酸化の時、ゲート電極の微細な線幅の変化による断線問題を解消し、線幅の開口率を増加させ、絶縁基板とゲート電極間の段差を減じてゲート電極とソース/ドレインとに重なる部分からの短絡を防止する。【構成】絶縁基板111と;傾斜側面を有し、かつ一定の大きさの線幅を有する金属層112と;金属層112より大きい線幅を有して絶縁基板上に形成された第1絶縁膜113ー1と;第2絶縁膜113-2と;一側に形成された非晶質シリコン膜114と;他側に形成された画素電極115と;画素電極115と非晶質シリコン膜の一側上面とに重なるように形成されたドレイン電極116と;非晶質シリコン膜の他側の上面とに重なるように形成されたソース電極117と;基板の全ての表面を覆うように形成された保護膜と;を含むTFT。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と;傾斜側面を有し、かつ一定の大きさの線幅を有する絶縁基板の一側上に形成された金属層と;前記金属層より大きい線幅を有し、かつ前記金属層を覆うように絶縁基板上に形成された第1絶縁膜と;基板上の全ての表面にわたって形成された第2絶縁膜と;前記金属層の上部の第2絶縁膜上の一側に形成された非晶質シリコン膜と;前記第2絶縁膜の他側に形成された画素電極と;前記画素電極と非晶質シリコン膜の一側の上面とに重なるように前記第2絶縁膜上に形成されたドレイン電極と;前記非晶質シリコン膜の他側の上面と重なるように前記第2絶縁膜上に形成されたソース電極と;基板上の全ての表面を覆うように形成された保護膜と;を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 21/306 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 A

引用特許：

出願人引用 (14件)

特開昭62-297892
特開平3-038065
特開平2-272430

全件表示

審査官引用 (8件)

特開昭62-297892
特開平3-038065
特開平2-272430

全件表示

前のページに戻る