特許
J-GLOBAL ID：200903066769756848
電磁干渉抑制体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山崎 拓哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-044131
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173859
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】互いに異なる磁気共鳴周波数を有するような材料を混合して得ることができる広帯域なμ′′分散特性を更に広帯域なものとするために利用可能な透磁率の周波数特性の制御方法を提供すること。【解決手段】軟磁性体粉末と有機結合剤とからなる複合磁性体を備え、該複合磁性体の虚数部透磁率μ′′を利用して不要輻射を抑制する電磁干渉抑制体の製造方法において、軟磁性体粉末の磁歪定数λを正又は負とすることにより虚数部透磁率μ′′の周波数を制御する。かかる制御方法と、互いに異なる磁気共鳴周波数を有するような材料を混合するといった周波数制御方法を適切に組み合わせることで、後者の方法のみにより周波数制御を行った場合よりも、より広帯域なμ′′分散特性を得ることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
軟磁性体粉末と有機結合剤とからなる複合磁性体を備え、該複合磁性体の虚数部透磁率μ′′を利用して不要輻射を抑制する電磁干渉抑制体の製造方法において、前記軟磁性体粉末の磁歪定数λを正又は負とすることにより前記虚数部透磁率μ′′の周波数を制御することを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5E040AA01
, 5E040BB03
, 5E040CA13
, 5E321BB32
, 5E321BB53
, 5E321GG11
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (1件)
-
ファインセラミクステクノロジーシリーズ○4磁性材料セラミクス, 19861130, P36-37,P42-43
審査官引用 (1件)
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ファインセラミクステクノロジーシリーズ○4磁性材料セラミクス, 19861130, P36-37,P42-43
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