特許

J-GLOBAL ID：200903066786809076

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 藤島 直人 ,  シー.アンドレー.ティー.サラマ
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (2件)： 酒井 昭徳 ,  篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299406
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134666
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】トレンチ横型パワーMOSFETとプレーナ型デバイスとを同一半導体基板上に集積すること。【解決手段】トレンチ37、P型ボディ領域34、N型拡張ドレイン領域35および厚い酸化膜40を順次形成し、TLPM101とNMOS201とPMOS301の各ゲート酸化膜38,54,64を同時に形成し、それらのゲート電極39,55,65を同時に形成する。TLPM101とNPNバイポーラトランジスタ401の各P型ベース領域32,72を同時に形成し、TLPM101のN型のソース・ドレイン領域33,36と、NMOS201とバイポーラトランジスタ401の各N型拡散領域52,53,73,74を同時に形成し、PMOS301とバイポーラトランジスタ401の各P型拡散領域62,63,75を同時に形成する。層間酸化膜41およびコンタクト電極42を形成し、各電極を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に作製された低耐圧プレーナ型MOSFETと、 前記半導体基板に形成されたトレンチの内側の上半部に厚い酸化膜を有し、前記トレンチの内側の下半部にゲート酸化膜を有し、トレンチ側壁に沿って前記厚い酸化膜および前記ゲート酸化膜の内側にゲート電極を有し、前記ゲート電極の内側に層間絶縁膜を介してコンタクト電極を有し、前記トレンチの底には前記コンタクト電極が接続する第2導電型のソース領域を有し、さらにその外側には前記ソース領域を囲む第1導電型のベース領域を有し、前記厚い酸化膜の外側には第2導電型の拡張ドレイン領域を有し、基板表面の前記トレンチの外側には第2導電型のドレイン領域を有し、前記コンタクト電極に接続する金属電極および前記ドレイン領域に接続する金属電極を有する高耐圧トレンチ横型MOSFETと、 を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

FI (8件)：

H01L27/08 102A ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/06 321A ,  H01L27/06 101U ,  H01L29/50 M ,  H01L27/08 102E

Fターム (78件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF21 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG15 ,  4M104GG18 ,  5F048AA05 ,  5F048AA09 ,  5F048AC05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC07 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048CA01 ,  5F048CA12 ,  5F048CA14 ,  5F048CB07 ,  5F082AA02 ,  5F082AA17 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082DA03 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AB07 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140BB02 ,  5F140BB03 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BF45 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BH05 ,  5F140BH09 ,  5F140BH25 ,  5F140BH26 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CB01 ,  5F140CB02 ,  5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-126002   出願人：日産自動車株式会社
• トレンチ型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334295   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-081243   出願人：富士電機株式会社
• 特開平4-306881