半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-212057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-053897
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路に内蔵の記憶装置のテストを行う場合に、1アドレスずつ値を書き込み、その1アドレスずつの値の確認が行われており、記憶装置の容量が大きい場合に大量のテストパターンと膨大なテスト時間が必要になるなどの課題があった。【解決手段】書き込み読み出し可能な記憶装置1と、前記記憶装置をテスト状態に設定するテスト状態設定手段2と、前記記憶装置内に書き込まれるための所定長の任意データを設定する任意データ設定手段2,4と、前記記憶装置内の記憶領域を所定長の前記任意データで埋める形で前記記憶装置に一括書き込みする一括書き込み手段2とを備えた半導体集積回路。

請求項（抜粋）：

書き込み読み出し可能な記憶装置と、前記記憶装置をテスト状態に設定するテスト状態設定手段と、前記記憶装置内に書き込まれるための所定長の任意データを設定する任意データ設定手段と、前記記憶装置内の記憶領域を所定長の前記任意データで埋める形で前記記憶装置に一括書き込みする一括書き込み手段と、を備えた半導体集積回路。

IPC (2件)：

G11C 29/00 671 , G01R 31/28

FI (3件)：

G11C 29/00 671 P , G01R 31/28 B , G01R 31/28 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

不揮発性メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-324942 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-205879
特開平1-276500

全件表示

前のページに戻る