特許

J-GLOBAL ID：200903066796321608

被覆形成用塗布液及び被覆膜及びそれを用いた半導体装置

発明者： 大倉 嘉之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351045
公開番号（公開出願番号）：特開2001-164184
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率の層間絶縁膜として用いるシリカ系被覆膜を提供する。【解決手段】 シリカ微粒子と、下記一般式(1)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上の加水分解物との反応物であるポリシロキサンと、分解性樹脂とを含む。XnSi(OR)4-n (1)但し、Xは、水素原子、フッ素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基であり、Rは、水素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、アリール基もしくはビニル基である。nは0から3までの整数である。

請求項（抜粋）：

シリカ微粒子と、下記一般式(1)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上の加水分解生成物であるポリシロキサンと、分解性樹脂とを含む被覆形成用塗布液。XnSi(OR)4-n (1)但し、Xは、水素原子、フッ素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基であり、Rは、水素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、アリール基もしくはビニル基である。nは0から3までの整数である。

IPC (4件)：

C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

Fターム (27件)：

4J038BA022 ,  4J038CB002 ,  4J038CE012 ,  4J038CG142 ,  4J038DB002 ,  4J038DD002 ,  4J038DF002 ,  4J038DH002 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038HA446 ,  4J038JC30 ,  4J038KA20 ,  4J038LA06 ,  4J038MA12 ,  4J038NA13 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-139723   出願人：触媒化成工業株式会社