特許
J-GLOBAL ID：200903000568647918
低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139723
公開番号（公開出願番号）：特開平11-323259
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：
【要約】【課題】比誘電率が3以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。【解決手段】(i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)酸化分解性樹脂を含有し、かつフェニル基を有するシリカ系微粒子と酸化分解性樹脂との重量比(フェニル基を有するシリカ系微粒子/酸化分解性樹脂)が、0.5〜5の範囲にあることを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。
請求項（抜粋）：
(i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)酸化分解性樹脂を含有し、かつフェニル基を有するシリカ系微粒子と酸化分解性樹脂との重量比(フェニル基を有するシリカ系微粒子/酸化分解性樹脂)が、0.5〜5の範囲にあることを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。
IPC (6件)：
C09D201/00
, C01B 33/12
, C09D 5/25
, C09D 7/12
, H01L 21/316
, H01L 21/768
C09D201/00
, C01B 33/12 C
, C09D 5/25
, C09D 7/12
, H01L 21/316 P
, H01L 21/316 G
, H01L 21/90 Q
