光散乱を強化した発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-411688
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193619
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】光散乱を強化した発光素子を提供する。【解決手段】基板、基板の上に重なるテクスチャ加工層、テクスチャ加工層の上に重なる少なくとも1つのIII族窒化物層、及び、実質的に平面の発光領域を含む発光素子。散乱層を組み込んだ素子は、幾つかの異なる方法によって形成することができる。第1の方法では、エピタキシアル層が堆積され、次にエッチングしてテクスチャ加工層を形成する。第2の方法では、フォトマスクを堆積させ、フォトマスクに開口部を生成するためにパターン化する。次に、フォトマスクに形成した開口内にテクスチャ加工層が選択的に堆積される。第3の方法では、テクスチャ加工層は、三次元の成長に有利な条件下で堆積され、次に任意選択的に焼き鈍しされる。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上に重なるテクスチャ加工層と、該テクスチャ加工層の上に重なる少なくとも1つのIII族窒化物層と、実質的に平面の発光領域と、を含むことを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , G02B5/02

FI (2件)：

H01L33/00 C , G02B5/02 B

Fターム (11件)：

2H042BA05 , 2H042BA15 , 2H042BA16 , 5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041DA04 , 5F041DA09

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,091,085号

審査官引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081447 出願人：三菱電線工業株式会社

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