特許

J-GLOBAL ID：200903066851065160

液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法

発明者： 椋田 睦夫 ,  笠井 一夫
出願人/特許権者： 住友精密工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108955
公開番号（公開出願番号）：特開平5-281534
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 高周波電源が不要で、装置の構成が簡単な常圧熱CVD方式による保護膜の成膜において、ガラスの耐熱許容温度以下の低温で成膜できる液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法の提供。【構成】 コンベア11に載置した基板10をまず加熱室12のヒータ16で加熱して基板10の耐熱許容温度以下の所定温度に昇温させた後、反応室13へ移動させてヒータ17で加熱しながらガス導入口からTEOS+O3ガスを供給し、基板10上でTEOSを分解させてSiO2を基板10表面に成膜する。

請求項（抜粋）：

液晶基板用ガラスをその耐熱許容温度以下に加熱し、このガラス表面にTEOSとO3を噴きつけてガラス表面にSiO2膜を成膜することを特徴とする液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法。

IPC (4件)：

G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1333 500 ,  C03C 17/245 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化ケイ素薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041758   出願人：株式会社ジーティシー
• 特開昭59-213644
  
• 特開昭62-293220
  
• 特開平3-122281